中车“电动汽车”尖端科技 惊艳《厉害了，我的国》

　　《厉害了，我的国》近期全国热映，口碑爆棚。这部影片用真实、震撼的画面记录了近五年来我国所取得的辉煌成就。

　　大银幕上，除了中国的“超级工程”令人极为震撼之外，还有众多支撑制造业的惊人高科技。其中，就包括应用于新能源汽车领域的IGBT。

　　影片中出现的IGBT生产线正是来自中国中车，目前，中车电动已将其广泛应用在新能源客车上。凭借对“高铁基因”先进技术的传承，中车电动已拥有众多新能源汽车核心技术，且不断引领新能源客车发展。

　　打破垄断，核心技术助新能源客车性能再提升

　　所谓IGBT就是能源变换与传输的核心器件，又被称为现代功率变流装置的“心脏”。它是现代科学、工业和国防的重要核心技术，虽然只是一块小小的芯片，却对能源效率和产品的性能起着至关重要的影响。

　　三年前，中车电动母公司——中车株洲所，建成了国内首条、世界上第二条8英寸IGBT芯片及模块生产线，彻底打破了三十多年来国外垄断局面。

　　在新能源汽车中，IGBT作为电机驱动系统的核心功率器件，能够“神奇”地将电能自由转化，既可使直流逆变为交流驱动电机，又可在制动时，将电机交流转化为直流，回收电能，最终使整车运行效率更高，性能更优。

　　如通过利用中车IGBT功率密度大、开关损耗小等优点，使装载IGBT的新能源汽车能量利用率大大提高，整车更加节能，续航里程更高。数据显示，中车的新能源整车产品能耗可降低20%以上。

　　安全性上，中车电动以IGBT技术突破为切入点，进一步打通了IGBT元器件、模块、电机控制器关键部件、电机驱动系统集成的全产业链，实现了以功能安全、电气安全、机械安全、化学安全为目标的整车电力系统平台打造，保证了车辆更高的安全性。

　　不止IGBT，还有更高超的“黑科技”

　　IGBT功能确实强大，然而创新无止步。面对发展迅猛的新能源汽车市场，中车电动又开展了更加“超能”的器件攻关研发——宽禁带半导体碳化硅(SiC)MOSFET功率器件。

　　前不久，由中车电动牵头承担的国家重点研发计划“新能源汽车”重点专项“宽禁带半导体电机控制器开发和产业化”项目已正式启动。该项目的推进将给新能源汽车带来一场新的革命，使我国新能源汽车技术水平大大提升，并实现“弯道超车”，赶超国际水平。

　　那么，这项技术为何有如此强大功能呢?同样作为应用于电机控制器上的核心部件，受材料特性影响，宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件比IGBT性能更优，是未来发展趋势。

　　据了解，当前车用电机控制器主要应用的是以传统硅基材料为主的IGBT，受材料限制，硅基器件特性已接近极限，而宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件，可以同时实现“高耐压”、“低导通电阻”、“高频”三个特性，从而使整个系统功率密度、效率再度得到提升。

　　也就是说，基于SiC 材料的电机控制器会更加超能，在其控制下，车辆的可靠性、动力性以及运行效率等将获得革命性提升。未来，宽禁带半导体碳化硅(SiC)功率器件，能使我国新能源汽车技术水平再度迈上新的台阶，从而引领世界。

　　随着新能源汽车的快速发展，中车电动会继续坚持创新，积极投身于新技术、新产品的攻关研发，为中国、为世界制造出更多性能优越的产品。